H Samsung παρουσιάζει τον πρώτο 1TB ενσωματωμένο flash αποθηκευτικό χώρο της βιομηχανίας

Τροφοδοτούμενο από το V–NAND 5^ης γενιάς της Samsung, το νέο Universal Flash Storage προσφέρει 20 φορές περισσότερο αποθηκευτικό χώρο από μια εσωτερική μνήμη 64GB και 10 φορές μεγαλύτερη ταχύτητα από μια τυπική microSD κάρτα για εφαρμογές έντασης δεδομένων.

Η Samsung Electronics ανακοίνωσε τη μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους ενός terabyte, ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 της βιομηχανίας για χρήση στις εφαρμογές κινητών επόμενης γενιάς. Μόλις τέσσερα χρόνια μετά την ανακοίνωση της πρώτης UFS λύσης, του 128GB eUFS, η Samsung ξεπέρασε το πολύ-αναμενόμενο όριο του ενός terabyte στον αποθηκευτικό χώρο του smartphone. Οι λάτρεις των smartphone θα έχουν σύντομα τη δυνατότητα να απολαμβάνουν χωρητικότητα αποθήκευσης συγκρίσιμη με εκείνη ενός premium notebook PC, χωρίς να χρειάζεται να προσθέσουν επιπλέον κάρτες μνήμης στα κινητά τους τηλέφωνα.

Διατηρώντας το ίδιο μέγεθος συσκευασίας (11.5χιλ x 13.0χιλ), η λύση του 1TB eUFS διπλασιάζει τη χωρητικότητα της προηγούμενης έκδοσης των 512GB, συνδυάζοντας 16 στοιβάδες της πιο προηγμένης V-NAND flash μνήμης 512GB και ένα νέο-αναπτυχθέντα ιδιόκτητο ελεγκτή μνήμης. Οι χρήστες smartphone θα μπορούν να αποθηκεύσουν 260 δεκάλεπτα videos σε ανάλυση 4K UHD (3840Χ2160), ενώ ο συνήθης 64GB eUFS, που επιδεικνύουν τα περισσότερα σύγχρονα smartphones, δύναται να αποθηκεύσει 13 videos του ιδίου μεγέθους.

Το 1ΤΒ eUFS έχει εξαιρετική ταχύτητα, επιτρέποντας στους χρήστες να μεταφέρουν περιεχόμενο πολυμέσων, μεγάλου μεγέθους, σε σημαντικά μειωμένο χρόνο. Με ταχύτητες που φτάνουν τα 1.000 megabytes ανά δευτερόλεπτο (MB/s), το νέο eUFS διαθέτει περίπου διπλάσια διαδοχική ταχύτητα ανάγνωσης από μια τυπική μονάδα 2.5 ιντσών SSD SATA. Αυτό σημαίνει πως full HD videos μεγέθους 5GB μπορούν να «κατέβουν» σε μια NVMe SSD σε μόλις πέντε δευτερόλεπτα, δηλαδή 10 φορές πιο γρήγορα από μια τυπική microSD κάρτα. Επιπλέον, η ταχύτητα τυχαίας ανάγνωσης έχει αυξηθεί κατά 38% συγκριτικά με την έκδοση 512GB, φτάνοντας τα 58.000 IOPS. Οι τυχαίες εγγραφές είναι 500 φορές πιο γρήγορες από μια microSD κάρτα υψηλής απόδοσης (100 ΙOPS), αγγίζοντας τα 50.000 IOPS. Οι τυχαίες ταχύτητες επιτρέπουν συνεχείς λήψεις υψηλής ταχύτητας στα 960 καρέ το δευτερόλεπτο και δίνουν την ευκαιρία στους χρήστες smartphone να αξιοποιήσουν στο έπακρο τις δυνατότητες πολλαπλής κάμερας στις σύγχρονες συσκευές και στις ναυαρχίδες επόμενης γενιάς.

Η Samsung σχεδιάζει, για το πρώτο εξάμηνο του 2019, την επέκταση της παραγωγής του V-NAND 512GB επόμενης γενιάς στο εργοστάσιό της στην Κορέα, ώστε να διαχειριστεί την υψηλή ζήτηση του πολυαναμενόμενου 1TB eUFS από κατασκευαστές κινητών συσκευών διεθνώς.

*Παραπομπή: Συγκριτικός πίνακας απόδοσης εσωτερικής μνήμης