Την ανάπτυξη μιας νέας μεθόδου κατασκευής επεξεργαστών που επιτρέπει τη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας των συστημάτων ή συσκευών που θα τοποθετούνται κατά 85%, ανακοίνωσαν η ΙΒΜ και η Samsung.
Η νέα αρχιτεκτονική που ανέπτυξαν οι δύο κολοσσοί της βιομηχανίας των υπολογιστών και ηλεκτρονικών προϊόντων, φέρει την ονομασία VTFET (vertical field effect transistors). Όπως λέει και το όνομα της η μέθοδος αυτή τοποθετεί τα τρανζίστορ σε κάθετη διάταξη με το ηλεκτρικό ρεύμα να κινείται κατακόρυφα. Υπενθυμίζεται ότι στη δομή των επεξεργαστών που ακολουθείται μέχρι τώρα (είτε πρόκειται για CPU είτε SoC ) τα τρανζίστορ είναι τοποθετημένα οριζοντίως στην επιφάνεια του πυριτίου με το ηλεκτρικό ρεύμα να «ρέει» από πλευρά-σε-πλευρά.
Τα συγκεκριμένα τσιπάκια αναμένεται να χρησιμοποιηθούν στο μέλλον σε κινητά τηλέφωνα, με πολύ θετικά αποτέλεσμα, καθώς θα μπορούν να λειτουργούν για χρονικό διάστημα πέραν της μιας εβδομάδας χωρίς να χρειάζονται φόρτιση.
